Metodo para producir monocristales grandes

La presente invención se refiere a un método para producir un monocristal grande, caracterizado porque comprende: (a) depositar sobre una placa germen, que comprende una pluralidad de plaquitas germen, orientadas, una capa de enmascaramiento que incluye una pluralidad de orificios para el germen, espaciados lejos en la capa de enmascaramiento; (b) colocar la placa germen en un reactor para hacer crecer el cristal; (c) hacer crecer los cristales epitaxiales a través de los orificios para el germen y sobre la capa de enmascaramiento, para formar una capa continua de material monocristalino sobre la capa de enmascaramiento; (d) separar la capa que se ha hecho crecer epitaxialmente, resultante, de la placa germen; y (e) recubrir un monocristal que tiene un área más grande que el área de cada una de las plaguitas de germen individual.